ウエットエッチング処理方法およびその処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045540
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242114
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】基板の下面にパーティクルが付着し難く、大面積基板でも良好な処理を行えるウエットエッチング処理方法を提供すること。【解決手段】回転駆動される基板18の上面18aにエッチング液を噴射してこの上面をエッチングするウエットエッチング処理方法において、上記基板18の下面18bに、上面18aと同時にエッチング液を噴射することを特徴とするウエットエッチング処理方法である。上記構成によると、基板下面に噴射されたエッチング液により下面に液流が発生し、基板の回転駆動時でも基板端部から下面へのエッチング液の回り込みを防止することができる。よってエッチング液中に含まれているパーティクルが付着し難くなり、大面積基板の処理も良好に行うことができる。また、いわゆるゼータ電位により、パーティクルが下面に付着するのを防止することができる。

請求項（抜粋）：

回転駆動される基板の上面にエッチング液を噴射してこの上面をエッチングするウエットエッチング処理方法において、上記基板の下面に、上面と同時にエッチング液を噴射することを特徴とするウエットエッチング処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , C23F 1/08 103

FI (2件)：

H01L 21/306 R , C23F 1/08 103

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-197126
特開昭60-234328
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-257178 出願人：ソニー株式会社

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