特許
J-GLOBAL ID：200903087031681557
高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及び高純度ルテニウムスパッタリングターゲット
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤吉 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198766
公開番号（公開出願番号）：特開2000-034563
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体薄膜形成用等の用途に適した、不純物含有量が低く、特にはパーティクル発生を低減した高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを提供すること。【解決手段】 水酸化ナトリウム溶液に粗ルテニウム粉を投入し、塩素ガスを吹き込みながらまたは塩素ガスを吹き込んだ後、オゾン含有ガスを吹き込むことにより四酸化ルテニウムを生成させた後、該四酸化ルテニウムを塩酸溶液または塩酸と塩化アンモニウムの混合溶液に吸収させてその溶液を蒸発乾固し、得られたルテニウム塩を水素雰囲気中で焙焼し高純度ルテニウム粉を得て、さらに該ルテニウム粉末をホットプレスすることによりターゲットとすることにより高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを製造する。得られるターゲット中の炭素、酸素、塩素の各元素の含有量を100ppm以下とする。
請求項（抜粋）：
水酸化ナトリウム溶液に粗ルテニウム粉を投入し、塩素ガスを吹き込みながらまたは塩素ガスを吹き込んだ後、オゾン含有ガスを吹き込むことにより四酸化ルテニウムを生成させた後、該四酸化ルテニウムを塩酸溶液または塩酸と塩化アンモニウムの混合溶液に吸収させてその溶液を蒸発乾固し、得られたルテニウム塩を水素雰囲気中で焙焼し高純度ルテニウム粉を得て、さらに該ルテニウム粉末をホットプレスすることによりターゲットとすることを特徴とする高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, B22F 9/22
, C01G 55/00
, C22C 5/04
, H01L 21/285
C23C 14/34 A
, B22F 9/22 Z
, C01G 55/00
, C22C 5/04
, H01L 21/285 S
4G048AA02
, 4G048AB01
, 4G048AB05
, 4G048AC04
, 4G048AD03
, 4G048AE05
, 4G048AE06
, 4K017BB17
, 4K017BB18
, 4K017EH18
, 4K017FB06
, 4K029BC00
, 4K029BD01
, 4K029DC03
, 4K029DC07
, 4K029DC08
, 4M104BB36
, 4M104DD40
, 4M104HH20
