特許
J-GLOBAL ID：200903087066469240

化学気相蒸着用の有機金属化合物及び化学気相蒸着用の有機金属化合物の製造方法並びに貴金属薄膜及び貴金属化合物薄膜の化学気相蒸着方法

発明者：
岡本 浩治

岡本 浩治 について


出願人/特許権者：
田中貴金属工業株式会社

田中貴金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 田中 大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-310503
公開番号（公開出願番号）：特開2002-114795
出願日： 2000年10月11日
公開日（公表日）： 2002年04月16日
要約：
【要約】【解決課題】 従来のビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム及びエチルシクロペンタジエニル(1,5-シクロオクタジエン)イリジウムが有するCVD原料としての優れた特性を具備し、且つ、酸素に対して安定性が高い化学気相蒸着用の有機金属化合物を提供することを目的とする。【解決手段】 本願の1の発明は、化学気相蒸着法によりルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造するための有機金属化合物であって、n-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基が置換されたアルキルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ルテニウムである。また、第2の発明としては、化学気相蒸着法によりイリジウム薄膜又はイリジウム酸化物薄膜を製造するための有機金属化合物であって、n-プロピル基、iso-プロピル基又はn-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基のいずれかのアルキル基で置換されたアルキルシクロペンタジエニル(1,5-シクロオクタジエン)イリジウムからなる化学気相蒸着用の有機金属化合物である。
請求項（抜粋）：
化学気相蒸着法によりルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造するための有機金属化合物であって、次式で示される、ブチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ルテニウムからなる化学気相蒸着用の有機金属化合物。【化1】(式中、置換基であるR1は、n-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基のいずれかのブチル基を示す。)
IPC (3件)：
C07F 17/02 ,  C07F 15/00 ,  C23C 16/18
FI (4件)：
C07F 17/02 ,  C07F 15/00 A ,  C07F 15/00 E ,  C23C 16/18
Fターム (8件)：
4H050AB91 ,  4H050AB99 ,  4H050WB11 ,  4H050WB21 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030FA10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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