CVD薄膜形成プロセス及びCVD薄膜製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242108
公開番号（公開出願番号）：特開2001-342566
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】原料となる有機金属化合物のロスがなく、金属又は金属酸化物薄膜の製造コストを低減することのできるCVDプロセスと、それを可能とするCVD薄膜製造装置とを提供する。【解決手段】有機金属化合物を再利用するCVD薄膜プロセスであり、排気ガスから有機金属化合物を回収する工程と、それを精製する工程からなる。回収方法としては、(1)排ガスを冷却して回収する方法、(2)溶媒に排ガスを接触させ、有機金属化合物を溶解させて回収する方法、(3)吸着剤に排ガスを接触させ、有機金属化合物を吸着させて回収する方法のいずれかが採られる。また、精製方法としては、(1)回収分を蒸留する方法、(2)回収分を昇華させる方法、(3)吸着剤を加熱して有機金属化合物を脱着させる方法のいずれかが採られる。また、回収工程前に排ガスから酸素を除去する工程を追加することで、有機金属化合物をより高収率で回収、精製することができる。

請求項（抜粋）：

有機金属化合物を加熱し気化させてソースガスを製造する気化工程と、前記ソースガスを基板上に導入し、基板表面で反応させて金属又は金属酸化物薄膜とする薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程で生じる反応生成物と未反応のソースガスとを含む排ガスを冷却することにより、前記未反応のソースガスを凝縮又は凝固させて液体又は固体の有機金属化合物を含む回収分を得る回収工程と、前記回収分中の有機金属化合物を分離し精製する精製工程とを含むCVD薄膜形成プロセス。

IPC (3件)：

C23C 16/44 , H01L 21/285 , H01L 21/31

FI (3件)：

C23C 16/44 E , H01L 21/285 C , H01L 21/31 B

Fターム (21件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030CA04 , 4K030EA12 , 4K030EA13 , 4K030FA10 , 4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF13 , 4M104HH20 , 5F045AA04 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045BB08 , 5F045EG08 , 5F045EG09 , 5F045GB11

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭57-051153
窒化膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-268068 出願人：日本パイオニクス株式会社
チタン錯体およびその合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-009797 出願人：東京応化工業株式会社

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