半導体装置の製造方法およびリンス液

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018964
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213612
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハー上に形成したアルミニウム系導電膜上に塗布されたフォトレジスト膜、または該導電膜上に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に残存するフォトレジスト層、あるいはエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残査物を、塩基性剥離剤で剥離する半導体装置の製造方法において、金属導電膜を全く腐食することなく、且つ安全な方法で高精度の回路配線を製造できる方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハー上に形成した金属導電膜上のフォトレジストを剥離する際、塩基性剥離液でフォトレジストを剥離後、過酸化物を含有する水からなるリンス液で洗浄する半導体装置の製造方法および該リンス液。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハー上に形成した金属導電膜上のフォトレジストを剥離する際、塩基性剥離液でフォトレジストを剥離後、過酸化物を含有する水で洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/32 501

FI (3件)：

H01L 21/30 572 B , G03F 7/32 501 , H01L 21/30 569 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-359798 出願人：三菱電機株式会社
レジスト残渣物の除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-317768 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-238818

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