特許

J-GLOBAL ID：200903087068885560

半導体レ-ザ装置

発明者： 粂 雅博 ,  伴 雄三郎 ,  服藤 憲司 ,  木戸口 勲 ,  上山 智 ,  辻村 歩 ,  宮永 良子 ,  石橋 明彦 ,  長谷川 義晃
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170509
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077795
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 紫外領域においても低しきい値で且つ温度特性が優れる半導体レーザ装置を実現できるようにする。【解決手段】 サファイアからなる基板11上に、n型GaNからなるn型コンタクト層13と、n型Al0.35Ga0.65Nからなるn型クラッド層14とが形成されている。n型クラッド層14上には、Al0.2 Ga0.8 N/Al0.25Ga0.75Nからなる多重量子井戸活性層15と、p型Al0.5 Ga0.5 N0.975 P0.025 からなるp型リークバリア層16と、p型Al0.4 Ga0.6 N0.98P0.02からなるp型クラッド層17とが順次形成されている。p型リークバリア層16のエネルギーギャップはn型クラッド層14よりも大きく、且つ、p型リークバリア層16及びp型クラッド層17は、エネルギーギャップを大きく維持しながらアクセプタ準位を浅くできるリンが添加されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたn型の第1の窒化物半導体からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層の上に形成され、禁制帯の幅が前記第1の窒化物半導体よりも小さい第2の窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成され、禁制帯の幅が前記第2の窒化物半導体よりも大きいp型の第3の窒化物半導体からなるp型クラッド層とを備え、前記活性層と前記p型クラッド層との間に形成され、禁制帯の幅が前記第1の窒化物半導体よりも大きいp型の第4の窒化物半導体からなるp型バリア層を備えていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 3族窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-227890   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 赤崎勇, 天野浩
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202477   出願人：ローム株式会社