半導体装置およびその製造方法ならびに無線通信装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258989
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150264
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】単一正電源動作が容易で、かつ、相互コンダクタンスおよびソース・ゲート間容量のゲート電圧に対する線形性に優れた半導体装置およびその製造方法ならびに無線通信装置を提供する。【解決手段】基板11の上にAlGaAsよりなる第2の障壁層13,InGaAsよりなるチャネル層14,AlGaAsよりなる第1の障壁層15を順次積層する。第1の障壁層15は、n型不純物を含むキャリア供給領域15aと不純物を含まない高抵抗領域15bとp型不純物を含むp型低抵抗領域15cとからなる。p型低抵抗領域15cは不純物の拡散により高抵抗領域15bに埋め込まれゲート電極20に接して形成される。ゲート電極20に正電圧を印加するとチャネル層14におけるキャリア欠乏領域は消滅し、寄生抵抗成分は残存しない。p型低抵抗領域はエピタキシャル成長により形成してもよい。

請求項（抜粋）：

ソース電極とドレイン電極との間にゲート電極が設けられた半導体装置であって、ソース電極とドレイン電極との間の電流通路であり半導体よりなるチャネル層と、このチャネル層とゲート電極との間に形成されると共に、前記チャネル層を構成する半導体よりも広いバンドギャップを有する高抵抗の半導体よりなる高抵抗領域と、ゲート電極に対応して設けられ高濃度の第1導電型不純物を含む半導体よりなる第1導電型低抵抗領域とを有する第1の障壁層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/337 , H01L 29/808

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/80 C

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-003300 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-117070
特開昭63-228672

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