特許
J-GLOBAL ID:200903087073778640

プラズマ発生装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-286439
公開番号(公開出願番号):特開2003-100499
出願日: 2001年09月20日
公開日(公表日): 2003年04月04日
要約:
【要約】【課題】 半導体プロセッシングの分野において、プラズマを用いて各種の加工を行なうプラズマ加工装置およびイオンビーム加工装置において、低ガス圧で、均一、大面積のプラズマを長時間安定に発生さすことを可能とするマイクロ波プラズマ生成装置を提供する。【解決手段】 バケット型イオン源に複数の一対又は複数対の内部アンテナ5を用いてマイクロ波を導入する方法によって、低ガス圧(10 mTorr以下)でプラズマを発生さす。
請求項(抜粋):
放電容器内に一対又は複数対の内部アンテナを設け、該一対又は複数対の内部アンテナにマイクロ波を導入してプラズマを発生するバケット型イオン源を特徴とするプラズマ発生装置。
IPC (2件):
H05H 1/46 ,  H01L 21/3065
FI (2件):
H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 D
Fターム (3件):
5F004BA11 ,  5F004BB14 ,  5F004BB32
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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