特許
J-GLOBAL ID：200903087090683164
磁気検出素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-125619
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246671
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 従来の磁気検出素子のエクスチェンジバイアス方式では、前記第2の反強磁性層の先端部が先細ることで、フリー磁性層に十分な縦バイアス磁界を供給できず、前記フリー磁性層の単磁区化が困難であった。【解決手段】 ボトム型のスピンバルブ型薄膜素子において、各層を積層した後、電極層33をマスクとして、前記電極層33に覆われていない第2の反強磁性層31及び第1のフリー磁性層28の一部を除去する。これにより残された前記第2の反強磁性層31の先端部31aは先細らず、前記第1のフリー磁性層28に十分な交換結合磁界を与えることができ、第2のフリー磁性層30の磁化を適切に単磁区化することが可能である。
請求項（抜粋）：
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。(a)基板上に、第1の反強磁性層と固定磁性層と非磁性材料層と、下から第1のフリー磁性層、非磁性中間層及び第2のフリー磁性層の順に積層されたフリー磁性層と、第2の反強磁性層とを順次積層して積層体を形成する工程と、(b)前記積層体にトラック幅方向と直交する方向である第1の磁界を印加しつつ、第1の熱処理温度で熱処理し、前記第1の反強磁性層および第2の反強磁性層に交換結合磁界を発生させて、前記固定磁性層および前記フリー磁性層の磁化を前記直交する方向に固定すると共に、前記第1の反強磁性層の交換結合磁界を前記第2の反強磁性層の交換結合磁界よりも大とする工程と、(c)トラック幅方向に前記(b)工程での第2の反強磁性層の交換結合磁界よりも大きく、且つ前記第1の反強磁性層の交換結合磁界よりも小さい第2の磁界を印加しつつ、前記第1の熱処理温度よりも高い第2の熱処理温度で熱処理し、前記フリー磁性層に前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向の縦バイアス磁界を付与する工程と、(d)前記積層体上に、一定の間隔を空けて一対の電極層を形成する工程と、(e)前記一対の電極層間から露出する前記積層体を、前記第2のフリー磁性層の途中まで除去する工程、
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 41/14
, H01F 41/32
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 41/14
, H01F 41/32
, H01L 43/12
5D034BA03
, 5D034CA05
, 5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA16
, 5E049DB11
, 5E049GC06
