高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-168247
公開番号（公開出願番号）：特開2005-146252
出願日： 2004年06月07日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】波長200nm以下の放射線に対する透明性、基板密着性、現像液親和性、ドライエッチング耐性等の性能に優れる感放射線レジスト用のベース樹脂として有用な新規含フッ素高分子化合物の提供。【解決手段】式(1)で表される繰り返し単位を含み、更に下記一般式(2a)〜(2d)の繰り返し単位を少なくとも一種類含む高分子化合物。【0001】【化1】(R1はフッ素原子又はフッ素化されたアルキル基、R2は単結合、又はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基、R3及びR4は水素原子、フッ素原子、又はアルキル基又はフッ素化アルキル基、R3及びR4の少なくとも一方は一つ以上のフッ素原子を含む。R5は水素原子又は酸不安定基、R6は酸不安定基、密着性基、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、aは1又は2)

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位を必ず含み、更に下記一般式(2a)〜(2d)から選ばれる繰り返し単位を少なくとも一種類含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。

IPC (4件)：

C08F220/28 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (4件)：

C08F220/28 , G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (36件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB06 , 2H025CB07 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 4J100AE09R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AP01Q , 4J100AR11R , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03R , 4J100BA58Q , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BB18R , 4J100BC04R , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (7件)

特公平2-27660号公報
特開昭63-27829号公報
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-050264 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (1件)

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-393302 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

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