薄膜トランジスタの作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081326
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298197
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】薄膜珪素膜を用いた薄膜トランジスタの信頼性と特性を向上させる。【解決手段】ガラス基板11上に形成された珪素膜12に水素、フッ素、塩素から選ばれた少なくとも1種類の元素をイオン化して注入することにより、珪素膜12内の珪素の不対結合手を中和し、珪素膜12内における準位を低下させる。この珪素膜を用いて薄膜トランジスタを作製することで、特性の優れた薄膜トランジスタを得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に珪素半導体膜を形成し、水素、フッ素もしくは塩素のいずれかの元素または前記元素からなる化合物をイオン化して前記珪素半導体膜に添加することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/265 , H01L 21/265 602 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 21/265 602 A , H01L 21/265 602 B , H01L 21/265 602 C , H01L 29/78 618 G , H01L 21/265 F , H01L 21/265 P , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 627 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-156514 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-062526
特開平3-181119

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