特許

J-GLOBAL ID：200903087175943092

メモリセルトランジスタ

発明者： 西川 哲
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-091384
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297302
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 不揮発性メモリセルトランジスタにおいて情報の書き込み及び消去を高速化する。【構成】 メモリセルトランジスタ30は、基板30に設けられたチャネル、ソース及びドレイン領域34、36 及び38と、チャネル領域34上に順次に設けられた第一ゲート絶縁膜40、浮遊ゲート42、第二ゲート絶縁膜42及び制御ゲート46を備える。第二ゲート絶縁膜42を強誘電体50及び常誘電体52により構成し、チャネル長方向Qにおいて、強誘電体50の幅をチャネル長よりも短くする。この結果、強誘電体50の分極反転のために供給し或は引き抜く電荷の量を、減少させることができるので、目的を達成できる。

請求項（抜粋）：

基板に設けられたチャネル、ソース及びドレイン領域と、前記チャネル領域上に第一のゲート絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲート電極と、該浮遊ゲート電極上に第二のゲート絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極とを備えて成る不揮発性メモリセルトランジスタにおいて、浮遊ゲート電極のチャネル領域対向部分と第二のゲート絶縁膜が含む強誘電体分極領域との対向面積S1 を、浮遊ゲート電極のチャネル領域対向面積S0 よりも狭くして成ることを特徴とするメモリセルトランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-250196   出願人：株式会社日立製作所
• 固体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-235600   出願人：株式会社リコー
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-251943   出願人：日本電装株式会社