特許
J-GLOBAL ID：200903087190825446
冷陰極およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-164717
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016483
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 エミッタが高密度で形成され、フィールドエミッション電流が大きい冷陰極およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンよりなる基板1上に二酸化珪素よりなる補助膜2が形成されている。補助膜2には開口2aが設けられ、この開口2aの中にエミッタ3が形成されている。エミッタ3はシリコン細線部3aと先端の金属部3bとにより構成される。開口2aの周囲にはゲート電極4が形成されている。エミッタ3は、基板1の上に補助膜2を形成したのち、その上に金を蒸着し、シランガス雰囲気中で440°Cに加熱することにより、シリコン細線部3aを成長させて形成される。加熱温度を低温とすることにより、金とシリコンとの溶融合金滴の形成密度を大きく直径を小さくできるので、シリコン細線部3aの形成密度を大きく直径を小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
電圧が印加されることにより間隔を開けて配置された陽極に向かってエミッタから電子を放出する冷陰極であって、前記エミッタが細線状であることを特徴とする冷陰極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
