特許
J-GLOBAL ID：200903087226200332
窒化物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-330967
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150297
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 透光性を有する基板上に発光層を含む1又は2以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層と、該p型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第1正電極と、第1正電極上の一部に形成された第2正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、第2正電極において、第1正電極に接するように形成された層をAu又はPtを主成分として形成することにより、第2正電極の直下の発光層の発光を可能にした。
請求項（抜粋）：
透光性を有する基板上に発光層を含む1又は2以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層と、該p型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第1正電極と、上記第1正電極上の一部に形成された第2正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、上記第2正電極において、上記第1正電極に接するように形成された層をAu又はPtを主成分として形成することにより、上記第2正電極の直下の発光層の発光を可能にしたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 29/43
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 29/46 Z
