特許
J-GLOBAL ID：200903087240066932
EUV集束器のデブリ管理
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-538994
公開番号（公開出願番号）：特表2008-518480
出願日： 2005年10月20日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用いたEUV光生成装置であって、EUVプラズマ発生チャンバと、該チャンバ内に収容され、少なくとも1つの層を含む反射表面を有するEUV光集束器であって、少なくとも1つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は帯域内で反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むEUV光集束器と、チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、プラズマ源材料がエッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が反射表面からのエッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、を含むEUV光生成装置を含むことができる方法及び装置。エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含むことができる。エッチャント供給源材料は、EUV光、DUV光、及び/又はプラズマ源材料のエッチングを促進するのに十分なエネルギーを伴うあらゆる励起エネルギーフォトンの存在下で、エッチングが促進されることに基づいて選択することができる。本装置は、反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、エッチャント供給源材料は、エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択することができる。また、反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器があってもよい。イオンは、エッチャント供給源材料を含むことができる。この装置及び方法は、プラズマ源材料がエッチングされることになる光学素子を伴うEUV生成サブシステムの一部を含むことができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用いたEUV光生成装置であって、
EUVプラズマ発生チャンバと、
前記チャンバ内に収容された、少なくとも1つの層を含む反射表面を有するEUV光集束器であって、前記少なくとも1つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は前記帯域内で前記反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むEUV光集束器と、
前記チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、前記プラズマ源材料が前記エッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が前記反射表面からの前記エッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、
を含むEUV光生成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531S
, H05G1/00 K
4C092AA04
, 4C092AA06
, 4C092AB19
, 4C092AC08
, 4C092BD05
, 4C092BD19
, 5F046GA09
, 5F046GB01
, 5F046GB09
, 5F046GC03
