二重拡散MOSFET及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102649
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294769
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】二重拡散MOSFETにおいては、高能率化のためにはON抵抗を小さくすることが重要であるが、従来構造のものでは、そのためにドリフト領域であるエピタキシャル層の抵抗を小さくすると、耐圧が低下するという問題があった。本発明は上記問題点を解消したFET、及びその製造方法を提供する。【解決手段】縦型構成の二重拡散MOSFETにおいて、エピタキシャル層のドリフト領域に、不純物含有ポリシリコンよりなる柱状部と該部の周囲に形成された不純物拡散層とよりなる埋込層を設けた。

請求項（抜粋）：

ゲート電極及びソース電極をチップの同一面に、ドレーン電極を該チップの裏面に構成してなる二重拡散MOSFETにおいて、エピタキシャル層ドリフト領域に、低抵抗化埋込層を設けたことを特徴とする二重拡散MOSFET。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭62-101077
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-098394 出願人：関西日本電気株式会社
特開昭61-159767

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