特許
J-GLOBAL ID：200903087269025577
単結晶シリコンウェーハおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-007105
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170656
出願日： 2008年01月16日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：
【課題】表層部の結晶欠陥が少なく、かつ表層強度が高い、高集積化デバイス用基板として好適な単結晶シリコンウェーハの提供。【解決手段】少なくとも一方の表面から深さ3μmの表層部のCOP密度が2個/cm2以下である単結晶シリコンウェーハ。上記表層部の深さ方向における酸素濃度の極大ピークが、表面から深さ1μmの領域にある。ウェーハ状単結晶シリコン素材を水素および/または希ガス雰囲気下で熱処理すること、上記熱処理後のウェーハ状単結晶シリコン素材を酸化性雰囲気下で1100〜1300°Cの範囲の温度まで昇温し、次いで降温する昇降温処理を行うこと、を含む単結晶シリコンウェーハの製造方法。前記降温において、900°Cまでの降温を10°C/秒以上の降温速度で行う。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも一方の表面から深さ3μmの表層部のCOP密度が2個/cm2以下であり、かつ上記表層部の深さ方向における酸素濃度の極大ピークが、表面から深さ1μmの領域にあることを特徴とする単結晶シリコンウェーハ。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, H01L 21/324
, C30B 29/06
, C30B 33/02
H01L21/322 Y
, H01L21/324 X
, C30B29/06 A
, C30B29/06 B
, C30B33/02
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB06
, 4G077FE02
, 4G077FE05
, 4G077FE12
, 4G077FE13
, 4G077FJ06
, 4G077HA12
