特許
J-GLOBAL ID：200903074308568988
シリコン単結晶ウエーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-045956
公開番号（公開出願番号）：特開2008-207991
出願日： 2007年02月26日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】ウエーハ表層にDZ層が形成されてデバイス特性が優れていると同時に、ゲッタリングサイトとして機能する酸素析出物をバルク領域内に十分に形成できるシリコン単結晶ウエーハを安価に製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶ウエーハの製造方法であって、チョクラルスキー法により作製した径方向の全面がN領域のシリコン単結晶ウエーハを酸化性雰囲気下で急速熱処理し、該酸化性雰囲気下の急速熱処理で形成された酸化膜を除去してから、窒化性雰囲気、Ar雰囲気、またはこれらの混合雰囲気下で急速熱処理するシリコン単結晶ウエーハの製造方法。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶ウエーハの製造方法であって、チョクラルスキー法により作製した径方向の全面がN領域のシリコン単結晶ウエーハを酸化性雰囲気下で急速熱処理し、該酸化性雰囲気下の急速熱処理で形成された酸化膜を除去してから、窒化性雰囲気、Ar雰囲気、またはこれらの混合雰囲気下で急速熱処理することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/06
, C30B 15/00
, H01L 21/322
, H01L 21/26
C30B29/06 B
, C30B29/06 A
, C30B15/00 Z
, C30B29/06 502Z
, H01L21/322 Y
, H01L21/26 F
4G077AA02
, 4G077AB10
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077FE02
, 4G077FE04
, 4G077FG05
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077PA16
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (8件)
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