アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西山恵三 , 内尾裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-226698
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053356
出願日： 2006年08月23日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】プロセスマージンが広く、特性に優れ、且つ信頼性の高い酸化物薄膜トランジスタを作成する。【解決手段】アモルファス酸化物半導体膜からなる活性層を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、前記活性層を形成する工程は、導入酸素分圧が1×10-3Pa以下の雰囲気中で前記酸化膜を形成する第1の工程と、前記第1の工程後、酸化雰囲気中で熱処理を行う第2の工程と、を含む。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

In又はZnの少なくとも一方の元素を含むアモルファス酸化物半導体膜からなる活性層を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、前記活性層を形成する工程は、導入酸素分圧が1×10-3Pa以下の雰囲気中で前記酸化膜を形成する第1の工程と、前記第1の工程後、酸化雰囲気中で熱処理を行う第2の工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , C23C 14/08 , C23C 14/54 , C23C 14/58 , H01L 21/363 , H01L 21/203

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , C23C14/08 K , C23C14/54 B , C23C14/58 A , H01L21/363 , H01L21/203 S

Fターム (59件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BB10 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC35 , 4K029EA03 , 4K029EA08 , 4K029GA00 , 4K029GA01 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG03 , 5F103HH01 , 5F103HH04 , 5F103HH05 , 5F103LL07 , 5F103NN04 , 5F103NN05 , 5F103PP03 , 5F103RR04 , 5F103RR05 , 5F103RR07 , 5F110AA16 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN01 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (8件)

トランジスタ及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-326889 出願人：科学技術振興事業団
アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
公報種別：再公表公報出願番号：JP2005003273 出願人：独立行政法人科学技術振興機構
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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審査官引用 (4件)

発光装置及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325367 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体装置の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-361694 出願人：三洋電機株式会社
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-068270 出願人：新技術事業団

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