特許
J-GLOBAL ID：200903087292498393
薄膜バルク音波共振子(FBAR)をウェーハ上で同調させる方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-517529
公開番号（公開出願番号）：特表2001-502136
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 2001年02月13日
要約：
【要約】ウェーハ上に位置する薄膜バルク音波共振子(FBAR)を同調させる方法である。FBARはそれぞれの厚みを有する複数の層からなっている。FBARは少なくとも1つの層の厚みの関数であるそれぞれの周波数で直列共振と並列共振の少なくととも一方を示す。本発明の方法の第1工程は、FBARが直列共振と並列共振の1つを示す周波数を測定することを含んでいる。次の工程は、測定された周波数と基準周波数との差異を最小限にするために変更する必要がある少なくとも1つの層の厚み数量(A)を計算することを含んでいる。更に次の工程は少なくとも1つの層を数量(A)だけ変更する工程ことを含んでいる。
請求項（抜粋）：
それぞれの厚みを有する複数個の層を有し、少なくとも1つの層の厚みの関数であるそれぞれの周波数で直列共振周波数と並列共振周波数の少なくとも一方を示す、ウェーハ上に構成された薄膜バルク音波共振子(FBAR)を同調させる方法において、 FBARが直列共振と並列共振の少なくとも一方を示す周波数を測定する工程と、 測定された周波数と基準周波数との差異を最小限にするために、少なくとも1つの層の厚みを変更する数量(A)を計算する工程と、 少なくとも1つの層の厚みを数量(A)だけ変更することによって、測定された周波数とと基準周波数との差異を最小限にする工程 とからなることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H03H 3/04
, H01L 41/09
, H03H 9/17
H03H 3/04 B
, H03H 9/17 F
, H01L 41/08 K
