半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-314328
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128390
出願日： 2004年10月28日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】半導体装置が微細化しても細線効果による性能低下を抑制できる、高集積化に適した新たな3次元半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】上記課題を解決した半導体装置は、半導体層中にこの半導体層表面に垂直に形成されたトレンチと、前記トレンチの側面及び底面の前記半導体層中に形成され、前記トレンチの深さ方向に形成された複数の素子分離と、前記トレンチの側面に沿って形成され、絶縁膜と電極とを備えた複数の機能素子と、前記電極に接続し、前記複数の機能素子を第1の方向に接続する第1の配線と、前記トレンチの側面及び底面の前記半導体層中に形成され、前記素子分離により分離され、前記機能素子を前記第1の方向は異なる第2の方向に電気的に接続する第2の配線とを具備する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体層中にこの半導体層表面に垂直に形成されたトレンチと、前記トレンチの側面及び底面の前記半導体層中に形成され、前記トレンチの深さ方向に形成された複数の素子分離と、前記トレンチの側面上に形成され、絶縁膜と電極とを備えた複数の機能素子と、前記電極に接続し、前記複数の機能素子を第1の方向に接続する第1の配線と、前記トレンチの側面及び底面の前記半導体層中に形成され、前記素子分離により分離され、前記機能素子を前記第1の方向は異なる第2の方向に電気的に接続する第2の配線とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (15件)：

H01L 27/00 , H01L 27/08 , H01L 29/78 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/76 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/768 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (15件)：

H01L27/00 301C , H01L27/08 331A , H01L29/78 653B , H01L21/88 Z , H01L21/76 L , H01L27/08 102E , H01L27/08 102D , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/90 A , H01L29/78 301X , H01L29/78 301Y , H01L29/78 626A , H01L29/78 627C , H01L29/78 616L

Fターム (178件)：

5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA67 , 5F032BA08 , 5F032BA10 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA22 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA44 , 5F032DA60 , 5F032DA77 , 5F033HH04 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033MM07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ19 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ38 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR15 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS25 , 5F033UU01 , 5F033VV16 , 5F033XX03 , 5F033XX10 , 5F048AA01 , 5F048AA04 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA19 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BB20 , 5F048BC01 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048BF06 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048CB07 , 5F083EP13 , 5F083EP23 , 5F083EP44 , 5F083EP49 , 5F083EP56 , 5F083EP76 , 5F083GA02 , 5F083GA10 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA53 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F101BA07 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BC02 , 5F101BD16 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BH02 , 5F101BH09 , 5F101BH14 , 5F101BH15 , 5F101BH23 , 5F110AA04 , 5F110BB08 , 5F110CC09 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG52 , 5F110GG57 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HL04 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110QQ01 , 5F110QQ04 , 5F110QQ19 , 5F140AA00 , 5F140AB01 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BC15 , 5F140BD04 , 5F140BD09 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF44 , 5F140BG37 , 5F140BG38 , 5F140BG39 , 5F140BH30 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (2件)

不揮発性メモリ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-120426 出願人：沖電気工業株式会社
半導体力学量センサとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-028747 出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (7件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193004 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭62-269363
特開昭64-020668

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