特許
J-GLOBAL ID：200903087319890274

半導体装置及びその製造方法

発明者：
重岡 隆

重岡 隆 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-314328
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128390
出願日： 2004年10月28日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 半導体装置が微細化しても細線効果による性能低下を抑制できる、高集積化に適した新たな3次元半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 上記課題を解決した半導体装置は、半導体層中にこの半導体層表面に垂直に形成されたトレンチと、前記トレンチの側面及び底面の前記半導体層中に形成され、前記トレンチの深さ方向に形成された複数の素子分離と、前記トレンチの側面に沿って形成され、絶縁膜と電極とを備えた複数の機能素子と、前記電極に接続し、前記複数の機能素子を第1の方向に接続する第1の配線と、前記トレンチの側面及び底面の前記半導体層中に形成され、前記素子分離により分離され、前記機能素子を前記第1の方向は異なる第2の方向に電気的に接続する第2の配線とを具備する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体層中にこの半導体層表面に垂直に形成されたトレンチと、 前記トレンチの側面及び底面の前記半導体層中に形成され、前記トレンチの深さ方向に形成された複数の素子分離と、 前記トレンチの側面上に形成され、絶縁膜と電極とを備えた複数の機能素子と、 前記電極に接続し、前記複数の機能素子を第1の方向に接続する第1の配線と、 前記トレンチの側面及び底面の前記半導体層中に形成され、前記素子分離により分離され、前記機能素子を前記第1の方向は異なる第2の方向に電気的に接続する第2の配線とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (15件)：
H01L 27/00 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (15件)：
H01L27/00 301C ,  H01L27/08 331A ,  H01L29/78 653B ,  H01L21/88 Z ,  H01L21/76 L ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 102D ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/90 A ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301Y ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 616L
Fターム (178件)：
5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA67 ,  5F032BA08 ,  5F032BA10 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA22 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA44 ,  5F032DA60 ,  5F032DA77 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033MM07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ38 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS25 ,  5F033UU01 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F033XX10 ,  5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BA19 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BB20 ,  5F048BC01 ,  5F048BD01 ,  5F048BD07 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048CB07 ,  5F083EP13 ,  5F083EP23 ,  5F083EP44 ,  5F083EP49 ,  5F083EP56 ,  5F083EP76 ,  5F083GA02 ,  5F083GA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F101BA07 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BD16 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BH02 ,  5F101BH09 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH23 ,  5F110AA04 ,  5F110BB08 ,  5F110CC09 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL04 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA00 ,  5F140AB01 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BB04 ,  5F140BC15 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
  • 半導体装置およびその作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-193004   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開昭62-269363
  • 特開昭64-020668
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