特許
J-GLOBAL ID：200903087325678953
多層レジストプロセス用熱分解性下層膜形成組成物、下層膜、多層レジストおよびパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福沢 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-327749
公開番号（公開出願番号）：特開2005-092014
出願日： 2003年09月19日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】アッシング処理の必要がなく、簡便な熱処理により分解除去でき、Low-K膜などの無機被膜にダメージを与えることがない熱分解性下層膜の形成に用いられる多層レジストプロセス用熱分解性下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】 被膜の不活性ガス雰囲気中または真空雰囲気中300°Cで1時間加熱した際の重量減少率が5重量%以下であり、かつ不活性ガス雰囲気中、真空雰囲気中、還元性ガス雰囲気中または不活性ガスと還元性ガスとの混合雰囲気中420°Cで1時間加熱した際の重量減少率が80重量%以上であることを特徴とする多層レジストプロセス用熱分解性下層膜形成組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
それから形成される被膜の不活性ガス雰囲気中または真空雰囲気中300°Cで1時間加熱した際の重量減少率が5重量%以下であり、かつ不活性ガス雰囲気中、真空雰囲気中、還元性ガス雰囲気中または不活性ガスと還元性ガスとの混合雰囲気中420°Cで1時間加熱した際の重量減少率が80重量%以上であることを特徴とする多層レジストプロセス用熱分解性下層膜形成組成物。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025DA14
, 2H025DA29
, 2H025DA40
, 2H025FA03
, 2H025FA14
, 2H025FA41
