特許
J-GLOBAL ID:200903089168816436
多層レジストプロセス用下層膜形成組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
福沢 俊明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-097348
公開番号(公開出願番号):特開2002-296789
出願日: 2001年03月29日
公開日(公表日): 2002年10月09日
要約:
【要約】【課題】 RIE耐性に優れており、精細なパターンを形成するのに十分な薄膜として使用可能な多層レジストプロセス用下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】 下記式(1)で表される構造単位を有する重合体および溶剤を含有することを特徴とする多層レジストプロセス用下層膜形成組成物。【化1】〔式(1)において、R1 は1価の原子または基を示し、nは0〜4の整数であり、R2 およびR3 は1価の原子または基を示す。〕
請求項(抜粋):
下記式(1)で表される構造単位を有する重合体および溶剤を含有することを特徴とする多層レジストプロセス用下層膜形成組成物。【化1】〔式(1)において、R1 は1価の原子または基を示し、nは0〜4の整数であり、複数存在するR1 は相互に同一でも異なっていてもよく、R2 およびR3 は相互に独立に1価の原子または基を示す。〕
IPC (8件):
G03F 7/11 503
, C08F 32/08
, C08F299/02
, C08G 10/00
, C08K 5/00
, C08L 45/00
, C08L 61/18
, H01L 21/027
FI (8件):
G03F 7/11 503
, C08F 32/08
, C08F299/02
, C08G 10/00
, C08K 5/00
, C08L 45/00
, C08L 61/18
, H01L 21/30 502 R
Fターム (45件):
2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025DA35
, 4J002BK001
, 4J002BL021
, 4J002CC042
, 4J002CC121
, 4J002EA056
, 4J002ED026
, 4J002EH036
, 4J002EH156
, 4J002EJ037
, 4J002EJ047
, 4J002EL066
, 4J002EL106
, 4J002FD142
, 4J002FD147
, 4J002GP03
, 4J027AH03
, 4J027CC03
, 4J027CD10
, 4J033DA02
, 4J033DA12
, 4J033HB10
, 4J100AR09P
, 4J100AS15P
, 4J100BA03P
, 4J100BA14P
, 4J100BA16P
, 4J100BA29P
, 4J100BA41P
, 4J100BA52P
, 4J100BA56P
, 4J100BB01P
, 4J100BB03P
, 4J100BC43P
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA31
, 4J100HA53
, 4J100HA56
, 4J100HC17
, 4J100JA37
引用特許:
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