反射防止膜形成組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-123835
公開番号（公開出願番号）：特開2000-313779
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】特にArFエキシマレーザー光に対して反射防止効果が高く、インターミキシングを生じることがなく、エッチング速度が大きく、解像度及び精度等に優れたレジストパターンを形成しうる反射防止膜形成組成物を提供すること。【解決手段】ベンゼン核含有ビニルモノマー例えばスチレンに由来する構造単位および(メタ)アクリルアミド誘導体モノマー例えばN-(ヒドロキシメチル)(メタ)アクリルアミドに由来する構造単位を持つ共重合体並びにこの共重合体の溶剤を含有する反射防止膜形成組成物。

請求項（抜粋）：

下記式(1)【化1】(式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、アシル基、カルボキシル基、スルホン基、メルカプト基または炭化水素基を示し、R1が複数存在する場合にはそれらは同一でも異なってもよく、R2は、水素原子またはメチル基を示しそしてnは1〜5の整数を示す。)で示される構造単位および下記式(2)【化2】(式中、R3は、水素原子またはメチル基を示しそしてR4は水素原子または炭化水素基を示す。)で示される構造単位を有する共重合体並びにこの共重合体の溶剤を含有することを特徴とする反射防止膜形成組成物。

IPC (6件)：

C08L 25/00 , C08F212/08 , C08F220/58 , C08L 33/24 , G03F 7/11 503 , H01L 21/027

FI (6件)：

C08L 25/00 , C08F212/08 , C08F220/58 , C08L 33/24 , G03F 7/11 503 , H01L 21/30 574

Fターム (34件)：

2H025AA00 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025DA34 , 4J002BC041 , 4J002BC081 , 4J002BC101 , 4J002BC121 , 4J002BG131 , 4J002GP00 , 4J002GP03 , 4J002GQ05 , 4J100AB03P , 4J100AB07P , 4J100AB08P , 4J100AB09P , 4J100AM17Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA04Q , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA14P , 4J100BA29P , 4J100BA41P , 4J100CA04 , 4J100DA64 , 4J100EA01 , 4J100JA37 , 5F046CA04 , 5F046PA07

引用特許：

審査官引用 (10件)

反射防止膜材料組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-023884 出願人：富士写真フイルム株式会社
特開昭62-079446
特開昭59-231546

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