特許
J-GLOBAL ID：200903087331696971
3-5族光半導体素子および3-5族光半導体集積素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山内 梅雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-275486
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116233
出願日： 1995年10月24日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 スペーサ層を設けることなく急峻なドーピングプロファイルの得られる有機金属気相成長法により形成された3-5族光半導体素子を提供する。【解決手段】 有機金属気相成長によって素子を作製する際のp領域のドーピング材料としてビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム((C5 H4 C2 H5 )2 Mg)を用いる。これにより、固層拡散の程度が大幅に低減されスペーサ層を省略することができる。また、メモリー効果がほとんど現れないので、所望のドーピングプロファイルを有する光半導体素子を有機金属気相成長法によって作製することができる。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長法によって作製され、そのpドーピング領域がビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム((C5 H4 C2 H5 )2 Mg)をドーピング材料とするマグネシウムドーピングによって形成されていることを特徴とする3-5族光半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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