特許
J-GLOBAL ID：200903033411792944
3-5族化合物半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-180170
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036426
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】発光素子の輝度、発光効率を高めることが可能な3-5族化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】一般式Inx Gay Alz N(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体の積層構造を含み、該積層構造の中にp型の層を少なくとも1層含む3-5族化合物半導体を、3族有機金属化合物と分子中にNを有する化合物とを原料とし、有機金属気相成長法により反応管内で成長させて3-5族化合物半導体を製造する方法において、p型の層を成長する工程の前に、p型ドーパント原料を供給し3族原料は供給しない工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。
請求項（抜粋）：
一般式Inx Gay Alz N(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体の積層構造を含み、該積層構造の中にp型の層を少なくとも1層含む3-5族化合物半導体を、3族有機金属化合物と分子中にNを有する化合物とを原料とし、有機金属気相成長法により反応管内で成長させて3-5族化合物半導体を製造する方法において、p型の層を成長する工程の前に、p型ドーパント原料を供給し3族原料は供給しない工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 33/00
, C30B 25/14
, C30B 29/40 502
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, C30B 25/14
, C30B 29/40 502 B
, H01L 21/205
, H01S 3/18
