特許

J-GLOBAL ID：200903087342615051

レジストパターンの形成方法

発明者： 矢野 恵子 ,  矢野 映
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317996
公開番号（公開出願番号）：特開平9-160259
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】現像後のレジストパターンの強度を向上させることができて、乾燥時にリンス液の表面張力によりレジストパターンが倒れることを防止できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】ウェハ1上にレジスト膜を塗布し、露光及び現像してレジストパターン2を得た後、レジストパターン4を酸性液6に接触させるとともに、加熱しする。なお、レジストが化学増幅型レジストでない場合は、予めレジスト中に酸により架橋を促進する架橋剤を添加しておく。

請求項（抜粋）：

酸によって架橋する材料を含むレジストを基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光する工程と、該レジスト膜を現像する工程と、次いで、該レジスト膜を酸性液に接触させ、該酸性液に接触させた状態で前記基板を加熱する工程と、を有することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/40 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/32 501 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/40 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/32 501 ,  H01L 21/30 570

引用特許：

審査官引用 (3件)

• パターンの保持方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-196871   出願人：住友化学工業株式会社
• 現像液及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-052546   出願人：日本電信電話株式会社
• Si含有薄膜の形成法および該薄膜のパターンの形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-252236   出願人：沖電気工業株式会社