特許

J-GLOBAL ID：200903087348635402

基板処理装置及び基板処理方法

発明者： 吉村 雄太 ,  宮崎 圭 ,  片山 恭成 ,  田村 武
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-220896
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102375
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 基板の加熱処理を効率よく短時間で行うことができる基板処理装置及び基板処理方法の提供。【解決手段】 低酸素キュア・冷却処理ステーション(DCC)の加熱処理装置341において、リングシャッター346にウエハWの厚さ方向に沿って複数の通気口346aが設けられ、これら通気口346aを介して加熱された不活性ガスが加熱処理室341の中へ供給されるので、加熱処理室341内を不活性ガスに置換しつつウエハWの両面を加熱することができる。

請求項（抜粋）：

基板が載置される熱板と、前記熱板を貫通し、上昇状態では熱板表面から突出して基板を支持し、下降状態では熱板表面より埋没して前記基板を熱板上に載置する昇降可能な支持部材と、前記基板の外周を囲むように配置され、前記熱板に載置された基板の厚さ方向に沿って通気口が複数設けられた昇降可能なシャッタ部材を有し、該シャッタ部材が上昇または下降した状態で前記熱板との間で処理空間を形成する処理室と、前記処理室内に前記通気口を介して加熱された不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/31 Z ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/30 567 ,  H01L 21/90 Q

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-337888   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-238412   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• シリコン系被膜の形成方法及び加熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-080110   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-014826
  
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-043278   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社