磁性素子およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-049723
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252119
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】使用に際しては、機能や特性が安定であり、製造に際しては、調整や工程が簡素であり且つ品質が均一であるような、大バルクハウゼンジャンプ現象を起こしうる磁性素子を提供することである。【解決手段】磁気特性の異なる少なくとも2つの磁性層を有し大バルクハウゼンジャンプ現象を起こしうる磁性素子において、前記磁性層のうちの隣接する磁性層は、互いに異なる内部応力を有している。

請求項（抜粋）：

磁気特性の異なる少なくとも2つの磁性層を有し大バルクハウゼンジャンプ現象を起こしうる磁性素子において、前記磁性層のうちの隣接する磁性層は、互いに異なる内部応力を有していることを特徴とする磁性素子。

IPC (3件)：

H01F 10/08 , C23C 14/34 , H01F 41/18

FI (3件)：

H01F 10/08 , C23C 14/34 M , H01F 41/18

Fターム (11件)：

4K029BB02 , 4K029BC00 , 4K029BC06 , 4K029CA05 , 4K029EA03 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA16 , 5E049GC02

引用特許：

審査官引用 (6件)

形状記憶合金薄膜アクチュエータの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-327094 出願人：オリンパス光学工業株式会社
サーマルヘツド
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-218904 出願人：京セラ株式会社
特開昭59-104574

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