半導体記憶装置及び半導体記憶装置の欠陥救済方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071421
公開番号（公開出願番号）：特開平10-269797
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】予備のメモリセルのリフレッシュ特性が悪い場合にも、歩留りを低下させずに有効に欠陥救済ができる半導体記憶装置を得る。【解決手段】ノーマルセルアレイブロックBLK1〜BLK16はそれぞれ8Kサイクルのリフレッシュ周期に対応する13ビットのロウアドレスRA1〜RA13により行選択がなされ、選択された行のリフレッシュ動作が順次行われる。予備メモリアレイブロックは8KサイクルのロウアドレスRA1〜RA13に対応する13ビットのロウアドレスのうち最上位ロウアドレスRA13を除く4Kサイクル分の12ビットのロウアドレスによって選択されるように構成する。

請求項（抜粋）：

ダイナミック型の複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、リフレッシュ動作時に、アドレス信号に基づき前記複数のメモリセルそれぞれにアクセスするメモリセルアクセス手段とを備え、前記メモリセルアクセス手段は、前記リフレッシュ動作時に複数種のリフレッシュ間隔で前記複数のメモリセルにアクセス可能である、半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 29/00 603 , G11C 29/00 655 , G11C 11/401 , H01L 27/10 311

FI (4件)：

G11C 29/00 603 Z , G11C 29/00 655 S , H01L 27/10 311 , G11C 11/34 371 D

引用特許：

出願人引用 (4件)

ダイナミツク型半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-264802 出願人：シヤープ株式会社
ダイナミック型半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-064432 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-006203 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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審査官引用 (4件)

ダイナミツク型半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-264802 出願人：シヤープ株式会社
ダイナミック型半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-064432 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-006203 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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