特許
J-GLOBAL ID：200903087439814768

強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体薄膜および強誘電体メモリー素子

発明者：
白川 幸彦

白川 幸彦 について

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笹村 茂

笹村 茂 について

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佐藤 美穂子

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内田 信也

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出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-099947
公開番号（公開出願番号）：特開平8-277195
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 分極可能回数が著しく改善されたチタン酸ジルコン酸鉛薄膜である強誘電体薄膜の製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】 本発明の強誘電体薄膜の製造方法は、チタン酸ジルコン酸鉛を構成するために形成された酸化チタン層と酸化ジルコニウム層と酸化鉛層とを備える厚さ1.2〜7nmの積層膜ユニット、あるいはチタン、ジルコニウムおよび鉛から任意に選択された2種の金属の複合酸化物層と、残りの金属の酸化物層またはこの残りの金属および前記2種の金属のうち一方の金属の複合酸化物とを備える厚さ1.2〜7nmの積層膜ユニットを周期的に積層した積層体薄膜を形成し、この積層体薄膜を熱処理し、これによって前記積層体薄膜を一体のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜とすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
チタン酸ジルコン酸鉛を構成するために形成された酸化チタン層と酸化ジルコニウム層と酸化鉛層とを備える厚さ1.2〜7nmの積層膜ユニット、あるいはチタン、ジルコニウムおよび鉛から任意に選択された2種の金属の複合酸化物層と、残りの金属の酸化物層またはこの残りの金属および前記2種の金属のうち一方の金属の複合酸化物とを備える厚さ1.2〜7nmの積層膜ユニットを周期的に積層した積層体薄膜を形成し、この積層体薄膜を熱処理し、これによって前記積層体薄膜を一体のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜とすることを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (9件)：
C30B 29/22 ,  C30B 29/32 ,  H01B 3/12 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
C30B 29/22 Z ,  C30B 29/32 Z ,  H01B 3/12 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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