特許
J-GLOBAL ID：200903087479188991

半導体装置及びその製造方法

発明者：
布川 満次

布川 満次 について

, 
佐藤 裕

佐藤 裕 について

, 
西 眞弘

西 眞弘 について


出願人/特許権者：
富士通カンタムデバイス株式会社

富士通カンタムデバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266037
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093905
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】電極、配線、バンプ電極をそれぞれ互いに接続する構造を有する半導体装置に関し、2つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くすることことを目的とする。【解決手段】半導体基板1の上に形成された下側金属膜2と、下側金属膜2の上に形成され且つ窒素濃度が下側金属2から離れるほど低くなっている窒素含有金属よりなるバリア膜5と、バリア層5の上に形成された上側金属膜6とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に形成された下側金属膜と、前記下側金属膜の上に形成され、且つ窒素濃度が前記下側金属膜から離れるほど低くなっている窒素含有金属よりなるバリア膜と、前記バリア膜の上に形成された上側金属膜とを有する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 B
Fターム (62件)：
4M104AA05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB38 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104FF18 ,  4M104GG08 ,  4M104HH08 ,  4M104HH20 ,  5F033GG02 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH23 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK23 ,  5F033KK28 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033LL09 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033WW05 ,  5F033WW07 ,  5F033WW10 ,  5F033XX13 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM