特許
J-GLOBAL ID：200903087679970350
面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、その面発光レーザアレイを備えた光走査装置、その光走査装置を備えた電子写真装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-046247
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266592
出願日： 2007年02月26日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】高出力化が可能な面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】反射層102,107は、スペーサー層104,106および活性層105からなる共振器に隣接する。反射層103の低屈折率層1031は、n-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなり、高屈折率層1032は、n-(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5Pからなる。低屈折率層1031は、スペーサー層104に接する。反射層107の低屈折率層1071は、p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなり、高屈折率層1072は、p-(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5Pからなる。低屈折率層1071は、スペーサー層106に接する。スペーサー層104,106は、(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5Pからなる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体分布ブラッグ反射器からなり、基板上に形成された第1の反射層と、
前記第1の反射層に接して形成された第2の反射層と、
活性層を含み、前記第2の反射層に接して形成された共振器と、
前記共振器に接して形成された第3の反射層と、
前記第3の反射層に接して形成された第4の反射層とを備え、
前記共振器は、AlGaInPAs系材料からなり、
前記第2の反射層は、N(Nは正の整数)個の第1の高屈折率層とN個の第1の低屈折率層とが交互に積層された積層体を含み、
前記第3の反射層は、M(Mは正の整数)個の第2の高屈折率層とM個の第2の低屈折率層とが交互に積層された積層体を含み、
前記N個の第1の低屈折率層および前記M個の第2の低屈折率層の各々は、(AlxGa1-x)0.5In0.5P(0≦x≦1)からなり、
前記N個の第1の高屈折率層および前記M個の第2の高屈折率層の各々は、(AlyGa1-y)0.5In0.5P(0≦y<x≦1)からなり、
前記N個の第1の低屈折率層のうちの1個の第1の低屈折率層は、前記共振器に接し、
前記N個の第1の高屈折率層のうちの1個の第1の高屈折率層は、前記第1の反射層を構成するAlGaAs系材料に接し、
前記M個の第2の低屈折率層のうちの1個の第2の低屈折率層は、前記共振器に接し、
前記M個の第2の高屈折率層のうちの1個の第2の高屈折率層は、前記第4の反射層を構成するAlGaAs系材料に接する、面発光レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (24件)：
2C362AA03
, 2C362AA07
, 2C362AA13
, 2C362BA04
, 2C362BA60
, 2C362BB03
, 5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AD05
, 5F173AH08
, 5F173AH13
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP64
, 5F173AP67
, 5F173AP73
, 5F173AP79
, 5F173AR14
, 5F173AR25
, 5F173AR64
, 5F173AR72
