面発光型半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-074904
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281968
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】780nm帯の面発光型半導体レーザ素子において、高い信頼性を得る。【解決手段】n型GaAs基板11上に、n型GaAsバッファ層12、n型Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As下部半導体多層反射膜13、アンドープInGaPスペーサ層14、アンドープInGaAsP量子井戸層とアンドープInGaP障壁層とからなる量子井戸活性層15、アンドープInGaPスペーサ層16、p型Al0.5Ga0.5Asスペーサ層17、p型AlAs層18、p型Al0.5Ga0.5Asスペーサ層19、p型Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As上部半導体多層反射膜20、p型コンタクト層21を順次積層する。次に、p型コンタクト層21を発光領域の上部をエッチング除去し、さらに下部半導体多層反射膜13の一部までエッチングして直径50μmの円柱状の領域を形成した後、p型AlAs層18の電流注入領域以外の領域18aを選択酸化する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に少なくとも下部半導体多層膜からなる光共振器ミラー、活性層、選択酸化型またはイオン注入型の電流狭窄層および上部半導体多層反射膜からなる光共振器ミラーをこの順に積層してなる半導体層と、前記活性層に電流を注入する一対の電極とを備えてなり、前記半導体層の積層面に平行な表面からレーザ光を発する面発光型半導体レーザ素子において、前記活性層がInGaAsPからなる量子井戸を有し、該量子井戸に隣接して量子井戸より禁制帯幅が大きいInGaPまたはInGaAsPからなる層を有し、前記光共振器ミラーがいずれもAlGaAsからなることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S5/343 , H01S5/183

FI (2件)：

H01S5/343 , H01S5/183

Fターム (14件)：

5F073AA07 , 5F073AA08 , 5F073AA09 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AA84 , 5F073BA02 , 5F073CA06 , 5F073CA13 , 5F073CB02 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA16 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (8件)

面発光レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-232601 出願人：日本電信電話株式会社
面発光半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-320034 出願人：日本電信電話株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-257881 出願人：シャープ株式会社

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