特許
J-GLOBAL ID：200903087703961367
スパッタリング用ターゲット
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-144123
公開番号（公開出願番号）：特開平9-324263
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】 安定したITO成膜プロセスが実現でき、しかも得られたITO膜の耐久性が優れたスパッタリング用ターゲットを提供する。【解決手段】 インジウム、錫からなる合金金属ターゲットにおいて、その表面にITOを積層して合金と酸化物の2層構造としたスパッタリング用ターゲットである。
請求項（抜粋）：
インジュウム、錫からなる合金金属ターゲットにおいて、その表面にITOを積層して2層構造とすることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
引用特許：
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