特許
J-GLOBAL ID：200903087768948074
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-006081
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196643
出願日： 2005年01月13日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 消去動作に伴うGmの劣化を改善した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 不揮発性メモリがゲート絶縁膜102および選択ゲート電極103を有する選択MOS型トランジスタと、下層電位障壁膜104、第1の電荷保持膜105および第2の電荷保持膜106よりなる容量絶縁膜と、メモリゲート電極107とを有するメモリMOS型トランジスタとで構成され、第1の電荷保持膜105に化学量論的にSiが過剰なSi窒化膜、第2の電荷保持膜にSi酸窒化膜を用いた構造とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板内に形成された第1および第2半導体領域と、
前記第1および第2半導体領域間上の前記半導体基板上に形成された第1導電体および第2導電体と、
前記第1導電体と前記半導体基板との間に形成された第1絶縁膜と、
前記第2導電体と前記半導体基板との間に形成された第2絶縁膜と、を有し、
前記第2絶縁膜は、電位障壁膜と、前記電位障壁膜上に形成された電荷保持膜よりなり、
前記電荷保持膜は、Si窒化膜とSi酸窒化膜との積層膜とを含み、前記Si窒化膜は、化学量論比のSi窒化膜(Si3N4)とSiとを用いて、[Si3N4]X・[Si]1-Xとした場合に、Xが、0.75≦X≦0.95の範囲にあることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/824
, H01L 29/792
, H01L 29/788
, H01L 27/115
H01L29/78 371
, H01L27/10 434
5F083EP18
, 5F083EP22
, 5F083EP34
, 5F083EP35
, 5F083ER02
, 5F083ER09
, 5F083ER17
, 5F083GA21
, 5F083JA04
, 5F083JA05
, 5F083JA19
, 5F083PR12
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F101BA45
, 5F101BB02
, 5F101BC11
, 5F101BD22
, 5F101BE02
, 5F101BE05
, 5F101BE07
, 5F101BF03
, 5F101BH02
, 5F101BH03
