特許
J-GLOBAL ID:200903087771409613
薄膜素子とその製造方法、半導体装置
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-197001
公開番号(公開出願番号):特開2009-033004
出願日: 2007年07月30日
公開日(公表日): 2009年02月12日
要約:
【課題】樹脂基板上に形成された非単結晶膜からなる被アニール膜を短波長光を照射して得られる無機膜を備えた薄膜素子の製造方法において、基板に損傷を与えうる強度の短波長光を透過させうる被アニール膜を、樹脂基板を損傷させることなくアニールして良質な無機膜とする。【解決手段】薄膜素子1は、樹脂材料を主成分とする基板10を用意する工程(A)と、基板10上に熱バッファ層50を形成する工程(B)と、熱バッファ層50上に、短波長光Lが基板10に到達する割合を低減させて短波長光Lによる基板10の損傷を防止する光カット層20を形成する工程(C)と、光カット層20上に、基板10に損傷を与えうる強度の短波長光Lを透過させる非単結晶膜からなる被アニール膜30aを形成する工程(D)と、被アニール膜30a短波長光Lを照射することにより、被アニール膜30aをアニールして無機膜30を形成する工程(E)とを実施して製造される。【選択図】図2
請求項(抜粋):
樹脂材料を主成分とする基板を用意する工程(A)と、
該基板上に熱バッファ層を形成する工程(B)と、
該熱バッファ層上に、短波長光が前記基板に到達する割合を低減させて該短波長光による前記基板の損傷を防止する光カット層を形成する工程(C)と、
該光カット層上に、前記基板に損傷を与えうる強度の前記短波長光を透過させる非単結晶膜からなる被アニール膜を形成する工程(D)と、
該被アニール膜に前記短波長光を照射することにより、該被アニール膜をアニールして無機膜を形成する工程(E)とを順次実施することを特徴とする薄膜素子の製造方法。
IPC (6件):
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/133
, G02F 1/136
, H01L 51/50
FI (7件):
H01L21/20
, H01L29/78 626C
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 627G
, G02F1/1333 500
, G02F1/1368
, H05B33/14 A
Fターム (78件):
2H090JB03
, 2H090JC07
, 2H090JD11
, 2H090LA01
, 2H090LA04
, 2H092JA24
, 2H092KA04
, 2H092KA08
, 2H092KA19
, 2H092KB14
, 2H092MA05
, 2H092MA07
, 2H092MA10
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092MA30
, 2H092NA25
, 2H092PA01
, 3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC31
, 3K107DD17
, 3K107EE04
, 3K107FF06
, 3K107FF19
, 5F110AA21
, 5F110AA26
, 5F110BB01
, 5F110BB09
, 5F110CC01
, 5F110DD01
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE42
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF02
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110GG02
, 5F110GG04
, 5F110GG06
, 5F110GG13
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110NN02
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP06
, 5F110QQ11
, 5F152AA08
, 5F152BB02
, 5F152BB03
, 5F152BB09
, 5F152CC04
, 5F152CD02
, 5F152CD13
, 5F152CD14
, 5F152CD15
, 5F152CD27
, 5F152CE01
, 5F152CE05
, 5F152CE12
, 5F152CE16
, 5F152CE18
, 5F152FF03
, 5F152FG03
, 5F152FG18
引用特許: