半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-379278
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214267
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】エレクトロマイグレーション耐性あるいはストレスマイグレーション耐性を大幅に改善した金属配線を備える半導体装置を提供する。【解決手段】銅配線107を、シリコン低濃度領域104と、その上部に設けられたシリコン固溶層106からなる構成とする。シリコン固溶層106は、銅配線107を構成する銅の結晶構造中にシリコンが格子間元素または置換元素として配置された構造となっている。シリコン固溶層106を構成するシリコン含有銅は、銅の結晶構造(面心立方格子;格子定数3.6オングストローム)を維持しつつ格子間元素または置換元素としてシリコンが導入された状態となっている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜中に埋設された金属配線とを備え、前記金属配線は、固溶原子を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/3205 , H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/88 M , H01L21/90 A

Fターム (44件)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033LL01 , 5F033LL02 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ59 , 5F033QQ61 , 5F033QQ62 , 5F033QQ73 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033SS15 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX05 , 5F033XX06

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-151268 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-365425 出願人：株式会社リコー
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-197266 出願人：日本電気株式会社

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