薄膜トランジスタ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257127
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069030
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】安価な無アニールガラスを基板として、500°C以下のプロセス温度で高信頼度を有し、良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】上記の課題を解決するため、ボロン(B)またはリン(P)をドープした多結晶シリコン膜表面を,オゾンを用いて酸化処理することによって,多結晶シリコン表面に4〜20nmのシリコン酸化膜を形成する。この処理を施すことにより,ゲート絶縁層/チャネル層の界面構造の制御が可能となり,無アニールガラス基板上に特性変動の小さな薄膜トランジスタを作製することができる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板の上方に形成されたシリコン多結晶からなるチャネル領域とソース領域とドレイン領域と,第1の絶縁層と,第2の絶縁層と,電極とを備え,前記第1の絶縁層が少なくとも前記チャネル領域の表面を覆うようにして形成され,かつ前記第1の絶縁層中に3b族の元素,もしくは5b族の元素のうち少なくとも一種類の元素が含まれてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/00 342 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 21/336

FI (10件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/00 342 Z , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 G

Fターム (64件)：

2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA12 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 5C094AA31 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094JA20 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG37 , 5F110GG45 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110QQ11 , 5G435AA17 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435KK05 , 5G435KK09 , 5G435KK10

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-196498 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-177765
薄膜トランジスタおよび接合構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-253056 出願人：株式会社東芝

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