特許
J-GLOBAL ID：200903087867818492

化学増幅型レジスト材料、トップコート膜形成用材料及びそれらを用いたパターン形成方法

発明者：
遠藤 政孝

遠藤 政孝 について

, 
笹子 勝

笹子 勝 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-130425
公開番号（公開出願番号）：特開2008-286924
出願日： 2007年05月16日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】化学増幅型レジストにおけるパターンの解像性を向上できるようにする。【解決手段】基板101の上に、ポリマーと光酸発生剤とカルバモイルオキシムとを含む化学増幅型レジストからなるレジスト膜102を形成する。続いて、レジスト膜102に露光光104を選択的に照射することによりパターン露光を行なう。その後、パターン露光が行なわれたレジスト膜102を加熱し、加熱されたレジスト膜102に対して現像を行なって、レジスト膜102からレジストパターン102aを形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ポリマーと、 光酸発生剤と、 カルバモイルオキシムとを含むことを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
IPC (4件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/004 503B ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 575
Fターム (13件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA03 ,  5F046JA22
引用特許：
審査官引用 (6件)
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