特許
J-GLOBAL ID：200903087881467864

自己整合ソースおよびウェル領域を有する炭化珪素パワーデバイスならびにその製造方法

発明者：
セイ-ヒュン リュウ

セイ-ヒュン リュウ について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-508775
公開番号（公開出願番号）：特表2006-524433
出願日： 2004年02月19日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
炭化珪素半導体デバイスおよび炭化珪素半導体デバイスの製造方法が、第1の伝導型炭化珪素層の中に、第1の伝導型のソース領域、この第1の伝導型と反対の第2の伝導型の埋込み炭化珪素領域、および第2の伝導型のウェル領域を形成するための窓を設けるためにマスク層を引き続いてエッチングすることによって提供される。ソース領域および埋込み炭化珪素領域はマスク層の第1の窓を利用して形成される。次いで、ウェル領域がマスク層の第2の窓を利用して形成され、この第2の窓は第1の窓を有するマスク層を引き続いてエッチングすることによって設けられる。
請求項（抜粋）：
第1の伝導型炭化珪素層の中に、第1の伝導型のソース領域、前記第1の伝導型と反対の第2の伝導型の埋込み炭化珪素領域、および第2の伝導型のウェル領域を形成するための窓を設けるために、マスク層を連続的にパターン形成するステップを含むことを特徴とする炭化珪素パワーデバイスを製造する方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336
FI (8件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 652M
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 米国特許第5506421号明細書
  • 米国特許出願第09/834283号明細書
  • 米国特許仮出願第60/237822号明細書
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審査官引用 (5件)
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