特許

J-GLOBAL ID：200903087934495504

半導体集積回路装置

発明者： 師岡 翠
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-120635
公開番号（公開出願番号）：特開2006-331618
出願日： 2006年04月25日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】動作の高速性を保ちつつ、書き込みしきい値電圧の分布幅を狭くすることを可能とすること。【解決手段】メモリセルMと、メモリセルMの一端に接続されるビット線BLと、ビット線BLに接続され、メモリセルMへのプログラムデータを一時的に記憶するデータ回路11と、を具備する。データ回路11は、データ書き込み時に、ビット線BLに転送する転送電位を、プログラムデータのプログラム順序に応じて変更する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体メモリセルと、 前記不揮発性半導体メモリセルの一端に接続されるビット線と、 前記ビット線に接続され、前記不揮発性半導体メモリセルへのプログラムデータを一時的に記憶するデータ回路と、を具備し、 前記データ回路は、データ書き込み時に、前記ビット線に転送する転送電位を、前記プログラムデータのプログラム順序に応じて変更することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (3件)：

G11C17/00 634F ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 622E

Fターム (15件)：

5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125DB01 ,  5B125DB08 ,  5B125DB19 ,  5B125EA05 ,  5B125EF02 ,  5B125EF03 ,  5B125EJ03 ,  5B125EJ08 ,  5B125FA02 ,  5B125FA05 ,  5B125FA06 ,  5B125FA07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-397446   出願人：株式会社東芝, サンディスクコーポレイション
• 米国特許6,643,188号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-402161   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-397446   出願人：株式会社東芝, サンディスクコーポレイション
• 近隣の動作モードに依存するビットライン補償のある不揮発性メモリおよび方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-527034   出願人：サンディスクコーポレイション