半導体装置及びその評価方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218949
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044255
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】より短い時間で容易に、基板と配線金属のコンタクト部のSiノジュール析出に関する管理ができる半導体装置及びその評価方法を提供する。【解決手段】Siウェハのスクライブライン領域AのSi基板1上に集積回路構成中の不純物拡散層と配線金属のオーミック接続構造を等価的に評価する装置が構成される。N型拡散層2が離間して複数設けられその上の絶縁膜3のコンタクトホール4で互いに隣り合うものどうし第一層の配線金属5(Al-Si-Cu合金)で接続する。配線金属5とN型拡散層2各々の複数の連続的な接続構成のうち、ジグザグ折り返しでの配線金属5にはビア6を介して第二層の配線金属7が接続される。電極パッド9は配線金属5とN型拡散層2複数の連続的な接続構成の端部にある配線金属5と繋がっており、電流を流し抵抗値の変化をみる。

請求項（抜粋）：

集積回路構成に用いられる不純物拡散層と配線金属のオーミック接続構造を等価的に評価する装置であって、半導体基板上の所定領域に互いに離間して複数設けられた不純物の拡散層と、前記拡散層上を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に選択的に設けられた開口部を介して互いに隣り合う2つの前記拡散層どうしを接続する、前記集積回路構成に用いられるものと同等もしくはそれ以上にオーミック接続構造を妨げるノジュール析出を促す物質を含むように領域が確保された専用の配線金属と、前記専用の配線金属と拡散層それぞれ複数の連続的な接続構成の端部の配線金属と繋がる電極パッドと、を具備したことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/66 Y , H01L 21/66 S

Fターム (8件)：

4M106AA01 , 4M106AA07 , 4M106AA11 , 4M106AA20 , 4M106AB15 , 4M106BA14 , 4M106CA10 , 4M106CA70

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平1-265533
半導体装置とその評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-127189 出願人：松下電子工業株式会社
配線評価装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-259735 出願人：松下電子工業株式会社

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