特許
J-GLOBAL ID：200903087970776854

誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ

発明者：
東 勇介

東 勇介 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-147264
公開番号（公開出願番号）：特開2008-297179
出願日： 2007年06月01日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】 高誘電率かつ比誘電率の温度特性の安定性に優れるとともに、絶縁抵抗の電圧依存性の小さい誘電体磁器と、このような誘電体磁器を誘電体層として備え、高温負荷試験での寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とし、バナジウム、マグネシウム、希土類元素およびマンガンをそれぞれ所定の割合で含ませて、結晶粒子の表面から15nmまでの深さの範囲で希土類元素の濃度勾配が0.1原子%/nm以上である第1結晶粒子と、同深さの範囲において0.05原子%/nm以下である第2結晶粒子とを主体とし、第1結晶粒子および第2結晶粒子のそれぞれの平均結晶粒径を0.3〜0.54μmおよび0.4〜1μmとして、さらに、誘電体磁器の研磨面の単位面積における、第1結晶粒子の面積割合をC1、第2結晶粒子の面積割合をC2としたときに、C2/(C1+C2)比を0.3〜0.7の範囲とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
チタン酸バリウムを主成分とし、前記チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、バナジウムをV2O5換算で0.1〜0.3モル、マグネシウムをMgO換算で0.5〜1.0モル、希土類元素をRE2O3換算で0.5〜1.0モル、およびマンガンをMnO換算で0.1〜0.5モル含む誘電体磁器であって、該誘電体磁器の結晶粒子は、表面から15nmの深さまでにおける前記希土類元素の濃度勾配が0.1原子%/nm以上で、かつ平均結晶粒径が0.3〜0.54μmである第1結晶粒子と、表面から15nmの深さまでにおける前記希土類元素の濃度勾配が0.05原子%/nm以下で、かつ平均結晶粒径が0.4〜1μmである第2結晶粒子とからなり、前記誘電体磁器の表面を研磨した研磨面において、前記第1結晶粒子が占める面積をC1、前記第2結晶粒子が占める面積をC2としたときに、C2/(C1+C2)が0.3〜0.7であることを特徴とする誘電体磁器。
IPC (3件)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/12
FI (3件)：
C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358
Fターム (36件)：
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA13 ,  4G031AA19 ,  4G031BA09 ,  4G031CA03 ,  4G031CA04 ,  4G031CA08 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF06 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303AB14 ,  5G303BA04 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CD01 ,  5G303CD04 ,  5G303DA02 ,  5G303DA05
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (4件)
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