半導体装置の製造方法及び半導体装置の評価方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212529
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033385
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 Cuなどの金属配線とCVDにより形成されたSiN膜、SiC膜などのCu拡散防止膜との密着性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の評価方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に絶縁膜1を形成し、絶縁膜1に配線溝7を形成し、配線溝7に金属配線8を埋め込み、金属配線8の表面処理を行って改質層5を形成し、絶縁膜1及び金属配線8上にCVD膜(SiN)6を形成し、表面処理によりCVD膜の金属配線に対する密着性を向上させる。表面処理は、イオン水、過酸化水素水過硫酸、アルカリ類などを用いて行われる。この表面処理によりCVD初期過程において反応選択性を持たせることにより、抵抗上昇、配線間リークなどを生じさせないでCu配線とCVD膜間の密着力を向上させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に配線溝を形成する工程と、前記配線溝に金属配線を埋め込む工程と、前記金属配線の表面処理を行う工程と、前記絶縁膜及び前記金属配線上にCVD膜を形成する工程とを具備し、前記表面処理により前記CVD膜の前記金属配線に対する密着性を向上させたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/306 , H01L 21/318 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/318 B , H01L 21/90 K , H01L 21/306 F , H01L 21/88 M

Fターム (54件)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH33 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ89 , 5F033QQ93 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR13 , 5F033RR21 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033XX14 , 5F033XX28 , 5F043AA26 , 5F043BB27 , 5F043DD12 , 5F043DD16 , 5F043FF07 , 5F043GG03 , 5F058BA10 , 5F058BC08 , 5F058BE03 , 5F058BE10 , 5F058BF07 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-003051 出願人：株式会社東芝
ウエハの洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-138365 出願人：日本電気株式会社
銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-263613 出願人：株式会社東芝

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