半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303765
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006583
出願日： 1983年08月24日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】基板電圧発生回路の低消費電力を図る。【構成】 DRAMの基板電圧発生回路はチャージパンプ回路で構成され、そのチャージパンプ回路は電流供給能力の大きい動作と電流供給能力の小さい動作とに動作が切り換えられる。【効果】 DRAMの待機時に基板電圧発生回路の電流供給能力を小さくできるので、基板電圧発生回路の低消費電力を図ることができる。

請求項（抜粋）：

第1の電圧を第2の電圧に変換して該第2の電圧を負荷に供給する電圧変換回路をチップ内部に具備してなる半導体装置において、該電圧変換回路からの上記第2の電圧で動作するとともにメモリセルが1ヶのトランジスタと1ヶのキャパシタとからなるダイナミックメモリを上記チップ内部にさらに具備してなり、上記電圧変換回路は上記ダイナミックメモリの上記メモリセルが動作する上記第2の電圧を発生するチャージパンプ回路を含み、該チャージパンプ回路は上記第2の電圧の発生に際して電流供給能力の大きい動作と電流供給能力の小さい動作とに動作が切り換えられてなり、上記チャージパンプ回路が上記電流供給能力の小さい動作をする際の上記チャージパンプ回路の供給電流が零とならないように上記小さな電流供給能力の値が設定されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G11C 11/407 , H02J 9/00 , H02M 3/07

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭56-159891
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-074304 出願人：三菱電機株式会社
特開昭56-159892

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