特許
J-GLOBAL ID：200903087991193638

薄膜トランジスタ

発明者：
竹延 大志

竹延 大志 について

, 
岩佐 義宏

岩佐 義宏 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-386114
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150410
出願日： 2003年11月17日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 易動度が高く、大気中で安定であり、しかもキャリア量の調整が容易であるカーボンナノチューブとそれに組み合わされる材料からなる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極1と、このゲート電極1に積層されるゲート絶縁膜2と、このゲート絶縁膜2の部位に積層されるソース電極3とドレイン電極4と、このソース電極3とドレイン電極4間に形成される半導体膜5とを備える薄膜トランジスタであって、前記半導体膜5はカーボンナノチューブとこのカーボンナノチューブと組み合わされる材料からなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)ゲート電極と、 (b)該ゲート電極に積層されるゲート絶縁膜と、 (c)該ゲート絶縁膜の部位に積層されるソース電極とドレイン電極と、 (d)該ソース電極とドレイン電極間に形成される半導体膜とを備える薄膜トランジスタであって、 (e)前記半導体膜はカーボンナノチューブと該カーボンナノチューブと組み合わされる材料からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L51/00
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/28
Fターム (11件)：
5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG42 ,  5F110QQ06
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM