特許
J-GLOBAL ID:200903088020138955
電力変換器制御装置および電力変換器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三谷 惠 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-308232
公開番号(公開出願番号):特開2000-134947
出願日: 1998年10月29日
公開日(公表日): 2000年05月12日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子に大きな電流が流れる異常が発生しても、その保護動作を確実に行い素子破壊を防ぐことができる電力変換器制御装置を得ることである。【解決手段】 ホールCT11により電力変換器6の半導体素子に過電流が流れたことが検出されたときは、異常検出部9は異常信号を出力する。異常検出部9からの異常信号は、ゲート駆動部8のゲート絞り手段12に入力され半導体素子のゲートを速やかに絞る。また、ゲート遮断手段13は電力変換器6の停止のためのゲート遮断信号を出力する。これにより、ゲート遮断動作がなされることに先行して半導体素子に流れる電流を減少させることができる。
請求項(抜粋):
電力変換器の半導体素子のゲートを駆動するゲート駆動部と、前記電力変換器の半導体素子に流れる電流が所定値を超えたことを検出し異常信号を出力する異常検出部と、前記ゲート駆動部にゲート信号を送り前記電力変換器を制御する制御部とを備えた電力変換器制御装置において、前記ゲート駆動部は、前記異常検出部の異常信号を入力したとき前記半導体素子のゲートを絞るゲート絞り手段と、前記電力変換器の停止のためのゲート遮断信号を出力するゲート遮断出力手段とを備えたこと特徴とする電力変換器制御装置。
IPC (3件):
H02M 7/48
, H02M 7/537
, H02M 7/5387
FI (3件):
H02M 7/48 M
, H02M 7/537 E
, H02M 7/5387 Z
Fターム (13件):
5H007AA06
, 5H007AA17
, 5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CB05
, 5H007CC03
, 5H007CC12
, 5H007DA05
, 5H007DB03
, 5H007DC02
, 5H007FA03
, 5H007FA13
, 5H007FA18
引用特許:
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