特許

J-GLOBAL ID：200903088035720723

層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置

発明者： 前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-009418
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332010
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 耐吸湿性、及び、耐熱性が良い低誘電率層間絶縁膜の形成方法、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】被形成体104上に、少なくともH2 O、OH、C、又は炭化水素のいずれか一を含む第1の絶縁膜106を形成し、前記第1の絶縁膜106を熱処理することにより、該第1の絶縁膜106の中から少なくともH2 O、OH、C、又は炭化水素のいずれか一を放出して、該第1の絶縁膜106を多孔性を有する絶縁膜にし、前記多孔性を有する絶縁膜106の上に第2の絶縁膜107を形成する層間絶縁膜の形成方法による。

請求項（抜粋）：

被形成体上に、少なくともH2 O、OH、C、又は炭化水素のいずれか一を含む第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜を熱処理することにより、該第1の絶縁膜の中から少なくともH2 O、OH、C、又は炭化水素のいずれか一を放出して、該第1の絶縁膜を多孔性を有する絶縁膜にし、前記多孔性を有する絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 N

Fターム (47件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ81 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR04 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF32 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF72 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240374   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-107271   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
• 多孔質誘電体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-247556   出願人：ソニー株式会社