NドープZnO膜の成膜方法。

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：重野剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-333444
公開番号（公開出願番号）：特開2006-144053
出願日： 2004年11月17日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】NをドープしたZnO膜を高速かつ安定して成膜する方法を提供する。【解決手段】カバー26内部におけるターゲット21a,21bの上方に基板1を配置し、ポンプによってカバー26内を真空にした後、アルゴン等の不活性ガス中に酸素及び窒素を含有させた混合ガスをカバー26内に導入する。Znよりなる第1、第2のターゲット21a,21bに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット21a,21bのスパッタ時におけるZnの放電の発光波長と発光強度が、PEM31a,31bによって検知される。各ターゲット21a,21bのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット21a,21bに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー26内に供給する酸素量及び窒素量、並びにカバー内の圧力が制御される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸素ガス及び窒素ガスを含む雰囲気にて、Znターゲットを用いてスパッタすることにより、NをドープしたZnO膜を成膜する方法において、該ターゲットは複数設けられており、各ターゲットに交互に間欠的な電圧を印加してスパッタを行うことを特徴とするNドープZnO膜の成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 14/08 , C23C 14/34 , H01B 13/00 , H01L 21/363

FI (5件)：

C23C14/08 C , C23C14/34 C , C23C14/34 N , H01B13/00 503B , H01L21/363

Fターム (25件)：

4K029AA09 , 4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029BA49 , 4K029BB07 , 4K029BB10 , 4K029BD00 , 4K029CA06 , 4K029DC16 , 4K029DC33 , 4K029EA00 , 4K029EA02 , 4K029EA03 , 4K029EA06 , 4K029EA09 , 5F103AA08 , 5F103BB51 , 5F103DD00 , 5F103HH04 , 5F103JJ01 , 5F103KK10 , 5F103LL04 , 5F103RR10 , 5G323BA01 , 5G323BB05

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機色素増感型金属酸化物半導体電極及びその製造方法、並びにこの半導体電極を有する太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-314333 出願人：株式会社ブリヂストン

審査官引用 (5件)

光触媒材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-085565 出願人：東陶機器株式会社
ガスバリア性反射防止フィルム及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-088277 出願人：株式会社ブリヂストン
バリヤー膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-302002 出願人：株式会社ブリヂストン

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